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光刻机5纳米了几年后就1纳米了然后呢是不是有新的技术可以替代?

光刻机5纳米了几年后就1纳米了然后呢是不是有新的技术可以替代?

目前荷兰ASML量产的EUV光刻机只是第一代产品,已经可以实现5nm工艺及未来3nm工艺芯片的生产,今年我们就可以从华为麒麟1020和苹果的A14芯片上看到EUV光刻机的真正实力(上一代7nm euv只是部分使用EUV光刻机),但是半导体工艺如果需要继续进步的话,目前ASML的第一代EUV光刻机恐怕还不够。

其实早在多年以前,当第一代EUV光刻机研发成功后,ASML就在着手研发第二代EUV光刻机,于第一代光刻机相比,第二代EUV光刻机在透镜方面进行了升级,也就是使用了High NA高数值孔径透镜,可以大幅度提升光刻机的微缩分辨率和精度,从而满足未来密度更高的2nm,甚至1nm芯片的量产需求,可以说,EUV光刻机未来的前景广阔,芯片制程和密度的提升很大程度上依赖EUV光刻机的不断升级。

除了光刻机技术以外,如果到了1nm时代,可能芯片制造流程中的材料也会面临更新,很多人说1nm是现有半导体硅基材料的极限,未来则可能用上基于石墨烯开发的碳基芯片,虽说现在成本仍然较高,但是碳基芯片在性能和效率上明显超过现在的硅基芯片。

不过,考虑到光刻机的研发生产难度越来越大,第二代EUV光刻机可能得到2024年才能小批量生产,完全量产估计得到2025年,那时候相信也到了2nm和1nm的工艺节点,相比目前的7nm芯片,新工艺势必会带来更小的芯片面积和能耗,还有更强的性能表现,台积电、三星等芯片代工厂到时候肯定也会纷纷采购ASML的第二代EUV光刻机,从而完成新一代芯片的代工。